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公司基本資料信息
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| ??發(fā)布日期： | 2022 年 3 月 13 日 |
| ??到期日期： | 2023 年 3 月 13 日 |
| ??詳細(xì)說(shuō)明： |
超薄獨(dú)立式多孔陽(yáng)極氧化鋁 簡(jiǎn)介 具有六邊形孔結(jié)構(gòu)和平行納米孔陣列的自組織多孔陽(yáng)極氧化鋁 (PAA) 由陽(yáng)極氧化鋁制成，已在許多商業(yè)產(chǎn)品中進(jìn)行了研究和應(yīng)用超過(guò) 100 年 年。 一些研究人員使用陽(yáng)極氧化鋁（AAO）或陽(yáng)極氧化鋁膜（AAM）作為該產(chǎn)品的名稱(chēng)。 我公司稱(chēng)此產(chǎn)品為PAA，強(qiáng)調(diào)它是一種多孔納米結(jié)構(gòu)。 近10年來(lái)，隨著越來(lái)越多的PAA在各個(gè)領(lǐng)域的新應(yīng)用被發(fā)現(xiàn)，如納米結(jié)構(gòu)模板、光子學(xué)、磁學(xué)、高選擇性過(guò)濾器、能量存儲(chǔ)和生物傳感器等，PAA的研究加速。 為客戶(hù)列出了一些參考資料： ? F. Keller, M. S. Hunter, D. L. Robinson, J. Electrochem。 社會(huì) 100 (1953) 411. ? GE Thompson, GC Wood, Nature 290 (1981) 230. ? CR Martin, Science 266 (1994) 1961. ? AP Li, F. Müller, A. Birner、K. Nielsch、U. G?sele、J. Appl。 物理。 84 (1998) 6023. ? J. E. Houser, K. R. Hebert, Nature Mater。 8 (2009) 415. ? J. Papadopoulos, C. Li, JM Xu, Nature 492 (1999) 253. ? GQ Ding, MJ Zheng, WL Xu, WZ Shen, Nanotechnology 16 (2005) 1285 . ? W. Lee、R. Ji、U. G?sele、K. Nielsch、Nat。 母校。 5 (2006) 741. ? S. Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, M. Isogai, A. Yasumori, Adv. 母校。 17 (2005) 2115. ? Y. Li, ZY Ling, SS Chen, JC Wang, Nanotechnology 19 (2008) 225604. 我們的超薄獨(dú)立式 PAA 產(chǎn)品 超薄獨(dú)立式 PAA 是 Ding 等人 首次報(bào)道。 2005 年（G. Q. Ding 等人，可控獨(dú)立超薄多孔氧化鋁膜的制備，納米技術(shù) 16 (2005) 1285）。 這種 PAA 可以轉(zhuǎn)移到任意基材上，并已用于納米級(jí)材料的高速過(guò)濾、納米點(diǎn)甚至量子點(diǎn)陣列的制造和表面圖案化。 (a) 典型的具有面積的獨(dú)立式 PAA 2 英寸硅片上約 4 cm2 和約 80 nm 的納米孔，(b) 2 英寸硅片上厚度為 50 nm 的 PAA 的光學(xué)圖像。 太薄了，肉眼無(wú)法從某些角度觀察到 我公司開(kāi)發(fā)了可控制厚度和孔徑的超薄獨(dú)立式PAA。硅上超薄PAA的顏色與氧化硅層厚度有關(guān) 和 PAA 厚度。 通過(guò)FESEM對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，我們可以將獨(dú)立的PAA轉(zhuǎn)移到各種基材上，包括硅、氧化硅、玻璃、GaN、SiC、銅、鎳、鉑、聚合物和陶瓷。 PAA納米孔徑可控 通過(guò)調(diào)整陽(yáng)極氧化工藝和后處理程序。 圖 3 和圖 4 顯示了具有約 45 nm 納米孔的 PAA 的典型 2D 和 3D AFM 圖像。 一個(gè)應(yīng)用示例：納米點(diǎn)/量子點(diǎn)陣列制造 我們的優(yōu)勢(shì)： ? 可控納米孔徑 ? 孔深可調(diào) ? 高度有序 ? 轉(zhuǎn)移到任意基材上 ? 交貨時(shí)間極短 與我們的合作者提供專(zhuān)業(yè)技術(shù)支持 1.中國(guó)專(zhuān)利：ZL201010166169.6 2 .中國(guó)專(zhuān)利：ZL200510025946.4. 3.中國(guó)專(zhuān)利：ZL200410067329.6. 4.中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)：CN201010139318.x 5.中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)：CN200910183590.5 6.中國(guó) 專(zhuān)利申請(qǐng)：CN200510027581.9 7.熱驅(qū)動(dòng)快速制備多孔陽(yáng)極氧化鋁，J. Electrochem。 社會(huì) 158 (2011) C410-C415. 8.草酸中鋁的超聲輔助陽(yáng)極氧化，應(yīng)用。 沖浪。 萊特。 258 (2011) 586-589. 9.制備具有超小納米孔的多孔陽(yáng)極氧化鋁，納米級(jí)資源。 萊特。 5 (2010) 1257-1263. 10. 陽(yáng)極氧化鋁的微尺度步驟和微納米組合結(jié)構(gòu)，應(yīng)用。 沖浪。 科學(xué)。 256 (2010) 6279-6283. 11.AFM、SEM和TEM研究多孔陽(yáng)極氧化鋁，納米級(jí)Res. 萊特。 5 (2010) 725-734. 12.Tip-like Anodic Alumina, Nanotechnology 18 (2007) 215304. 13.Indium Oxide “rods in dots” Nanostructures, Appl. 物理。 萊特。 89 (2006) 063113. 14.有序大尺度氧化鋅納米孔陣列的合成，應(yīng)用。 物理。 萊特。 88 (2006) 103106. 15. 單晶納米柱與高有序納米孔陣列的集成, 納米技術(shù) 17 (2006) 2590. 16. 可控自支撐超薄多孔氧化鋁膜的制備, 納米技術(shù) 16 ( 2005) 1285. 超薄獨(dú)立式 PAA 規(guī)格： 納米孔直徑 (nm) 納米孔深度 (nm) 孔間距 (nm) 阻隔層 (BL) 和鋁基 (AB) 圓形片 3- 10 50-400 20 不帶 BL 和 AB >1×1cm2 10-20 50-400 25 不帶 BL 和 AB >1×1cm2 20-30 100-400 50 不帶 BL 和 AB >1×1cm2 br>30-50 100-400 70 不帶 BL 和 AB >1×1cm2 40-90 100-400 100 不帶 BL 和 AB >1×1cm2 * 注：所有這些獨(dú)立的 PAA 都應(yīng)該轉(zhuǎn)移 到基材上。 客戶(hù)可以提供特定的基材，如果有也可以要求我們提供。 其他PAA規(guī)格： 納米孔直徑（nm）納米孔深度（nm）孔間距（nm）阻擋層（BL）和鋁 底座 (AB) 圓形 3-10 50nm-10μm 20 帶 BL 和 AB ~4cm2 10-20 50nm-10μm 25 帶 BL 和 AB ~4cm2 20-30 600nm-10μm 50 帶 BL 和 AB ~4cm2 30-50 100nm-30μm 70 帶 BL 和 AB ~4cm2 40-90 200nm-60μm 100 不帶 BL 和 AB 當(dāng) >50 μm ~4cm2 50-110 1μm-60μm 130 不帶 BL 和 AB 當(dāng) >50 μm ~4cm2 100-250 1μm-60μm 300 不帶 BL 和 AB 當(dāng) >50 μm ~4cm2 200-500 250nm-10μm 600-800 不帶 BL 和 AB 當(dāng) >50 μm ~ 4cm2 500-800 500nm-10μm 800-1000 帶 BL 和 AB ~4cm2 * 備注：所有這些獨(dú)立的 PAA 都應(yīng)轉(zhuǎn)移到基板上。 客戶(hù)可以提供具體的基材，如果有也可以要求我們提供。 |
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